AMD 剛剛進一步詳細介紹了未來的多層小晶元設計技術，可知相關技術將集成到下一代處理器中，比如即將推出的 Zen 3″3D V-Cache”衍生版本。 在近日舉辦的 HotChips 33 年度會議上，該公司談到了現有的小晶片設計、以及多層晶片堆疊技術的未來發展方向。

期間談到了已經或即將推出的各種產品，包括正在開發中的基於小晶元封裝架構的 14 款 SKU 。

結合 2D / 2.5D 和 3D 設計的下一代多層小晶片設計

AMD 表示，根據實際產品的不同需求（包括性能、功耗、面積和成本），該公司將靈活選擇封裝和小晶元架構。

2021 年内，AMD 将首次推出 3D Chiplet 设计。此前，我们已在消费级和服务器产品线上看到了 2D / 2.5D 封装。

到哪随着 3D V-Cache 技术的引入，我们终于迈入了 3D 小芯片堆叠设计的新时代。

AMD Zen 3 处理器将率先拥抱这项技术，主要是在 Zen 3 CCD 主芯片上方堆叠了 SRAM 缓存。

此外 3D 小芯片技术还增加了互连密度，同时保持了较低的功耗和面积占用。

AMD 还分享了如何将 3D V-Cache 技术集成到 Zen 3 CCD 上的一些细节。

其中包括了使用 3D 微突（Micro Bump）和硅通孔（TSV）互连方案，结合全新的亲水介电键合与 Direct CU-CU 键合技术。

WCCFTech 指出，得益于同台积电的深度合作设计与共同优化，新技术可将两个单独的小芯片粘合到一起。

据 AMD 所述，混合键合的间距仅为 9u 。后端类似于硅通孔，且略小于英特尔的 Forveros 互连（间距 10u）。

得益于此，其达成了至少三倍于 Micron Bump 3D 方案的互连效能，密度是它的 15 倍以上。

此外由于降低了 TSV 电容和电感，3D 小芯片设计还带来了更好的信号 / 功率表现。

AMD 强调，在 CPU 上方集成缓存，只是其 3D 堆叠愿景的一个开始。

展望未来，该公司还计划利用 3D 堆叠技术，实现核心 + 核心、以及 IP + IP 的堆叠。

等到 Macroblocks 也能够 3D 堆叠那天，事情一定会变得更加疯狂。