高級技術研究員 Yuzo Fukuzaki，剛剛為我們詳細解釋了 AMD 在台北電腦展（Computex 2021）主題演講期間介紹的一項難以捉摸的新 CPU 技術。 在該公司後續的講解中，有將所謂的三維垂直緩存（3D V-Cache），描述為堆疊在 CCD（CPU 複雜核心模組）頂上的額外 64MB 末級緩存。

官方宣稱 3D V-Cache 設計可將遊戲性能平均提升 15%，甚至可與 Zen 3 架構升級所帶來的改進相媲美。

主題演講體驗，AMD還亮出了一款基於AM4插槽、Zen 3 CCD架構、輔以3D V-Cache緩存部件設計的原型樣品。

以 16 核心的處理器為例，3D V-Cache 可讓其擁有 192 MB 的 L3 快取。

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Yuzo Fukuzaki 通過詳細的理論，闡明瞭 3D V-Cache 在處理器緩存層次結構中的最合理位置。 顯然，它擴展了 CCD 的 L3 快取，而不是作為接替 L3 的”L4″級緩存。

猜測 3D V-Cache 應該屬於一種 SRAM 晶片，採用與 Zen 3 CCD 相同的 7nm 工藝製造，尺寸在 6×6 m㎡，通常位於具有 32MB L3 SRAM 的 CCD 區域上方。

Fukuzaki 預估 AMD 會為 3D V-Cache 晶片打出大約 23000 個矽通孔（TSV），單孔直徑約 17 μm，可將 3D V-Cache 晶片與主 CCD 模組緊密連接到一起。

不過對於操作系統來說，緩存的相關層級設置仍是相當透明的（可視作每個 CCD 模組的 96MB L3 快取）。