據韓國媒體Businesskorea報導，三星在晶元先進製程方面趕超台積電的難度可能增大。 台積電已計劃明年開始生產2nm晶元，而三星目前的規劃是明年大規模量產3nm GAA晶片，其2nm晶元生產計畫尚未提上日程。

三星雖然已經開發出了2nm晶元，但尚未敲定投資計劃。 三星曾透露：「我們計劃明年製造3nm GAA產品，並在2023年製造更先進的3nm GAA產品。 ”

今年5月，該公司曾宣佈將投資170億美元（約1098億人民幣）在美國建造能生產3nm的晶元代工廠，但目前三星還在考慮其工廠的具體選址。

對比來看，中國臺灣環境影響評估審查委員會在本週三批准了台積電2nm晶元新廠建設。 該新廠預計佔地50英畝（約20公頃），將建在新竹工業園區，計劃在2024年實現商業化量產。 除了在本地建新廠，台積電也在考慮明年在美國亞利桑那州建設晶元廠，來生產3nm和4nm晶元。

一位業內人士稱：「台積電在5nm和7nm晶片工藝技術商業化方面已經超過了三星，隨著台積電生產更多先進製程晶元和提高資本支出，這一差距正在擴大。 台積電還在台灣建設測試生產設施，以確保一定水準的2nm良率。 ”

英特爾在本週二宣佈將分別在2024年和2025年達到Intel 20A和Intel 18A節點。 該公司在3月曾宣佈重新進入全球晶元代工市場，其精密加工工藝技術當前在7nm階段。

韓媒Businesskorea認為，三星正陷入夾在台積電和英特爾之間的兩難困境。

結語：晶元代工持續先進製程之爭

作為晶元代工廠的龍頭，台積電和三星一直在持續競爭，從2019年、2020年先後快速採用EUV光刻技術來突破7nm工藝，在2020年均實現量產5nm晶元，然後都開始計劃量產3nm晶元。

為了保持其市場優勢和市場佔有率，晶元代工廠一邊忙著擴增成熟製程工藝的產能，一邊忙著推動先進製程工藝升級和投產，競爭激烈。