晶元製造商所標註的晶片製程數位，可能並不代表真實的製程工藝反覆運算，它可能只是一種產品命名策略。 在購買新款電腦或新款智慧手機時，我們一般都會了解產品的硬體配置，其中處理器是關注的重點，而我們對處理器更新換代的基本判斷，除了晶元設計廠商的產品體系命名外，晶元製程工藝也是一項基本的判斷標準。

晶元設計廠商為了讓使用者知道自己推出的是新產品，通常的做法是採用新的產品命名方式，以高通為例，旗艦級的驍龍 855、驍龍 865 和驍龍 888，中高端的驍龍 765G 和驍龍 778G，首字母 8 和 7 代表產品定位，後面兩位數位的遞進代表新款或改進款。 讓使用者第一時間感知到產品的變化，從而促進新品銷量。

在晶片製程方面也是類似的情況，每一代晶元製程工藝的突破，一般會直接以製程工藝節點進行命名，也方便使用者直接判斷晶元製程情況。 而不同廠商間的製程工藝命名方式可能並不一樣，即使是製程工藝命名一樣，晶元晶體管數也可能並不相近。

最近，英特爾公佈最新的製程工藝路線圖，使用新的製程節點命名體系，拋棄原來的製程節點命名方式，之前的 10nm Enhanced SuperFin 工藝改稱 Intel 7，原來的 7 奈米工藝改成 Intel 4，之後的 Intel 3 大幅度改進功率和面積，2024 年的 Intel 20A 應用 RibbonFET 晶體管架構，開啟半導體的埃米時代（需要注意， 埃米的符號為 Å，而不是 Intel 20A 所用的英文字母 A，1 奈米等於 10 埃米）。

從某種程度上理解，英特爾此次新製程命名體系，算是跟上了台積電和三星的步伐，那英特爾製程改名是何用意？ 在相同的命名方式下，英特爾、台積電和三星間的晶片製程水準又有何差異？

英特爾晶片製程改名原由

英特爾的新製程命名很有意思，並沒有直接在產品名字後面標註製程單位，而是直接以數字結尾，很容易讓人產生聯想，直接將 Intel 7 聯想成英特爾的 7 奈米工藝。

英特爾的做法很巧妙，以 Intel 7 為例，並不直接挑明它是哪一代製程工藝，Intel 7 可看成一項技術節點的代號，基於 FinFET 晶體管優化，相較於 10 奈米 SuperFin 工藝每瓦性能提升 10%-15%。 這麼做一方面容易讓普通消費者產生聯想，有利於產品宣傳，另一方面是有意引導關注半導體行業的人群，讓他們不再只是關注所謂”製程數位的提升”，轉向關注晶元的性能和技術領域，有意弱化納米單位標識。

英特爾之所以這麼做，是不想再像之前一樣，因為製程命名方式給消費者帶來一種”低人一等”的產品印象，不利於產品宣傳。 英特爾CEO派特・基辛格表示：「英特爾的最新命名體系，是基於我們客戶看重的關鍵技術參數提出的，即性能、功耗和面積」，這段話強調了技術參數指標，但”客戶看重”幾個字也表明英特爾的客戶同樣不希望在晶片製程命名方面吃虧，另外英特爾自己又不想和三星、台積電一樣直接以納米單位來命名，故而弄出了 Intel 7 這樣的特殊命名方式。

熟悉英特爾製程的朋友會知道，相對於其它晶元製造商，英特爾在製程工藝命名上相對”嚴謹”一些，哪怕是在 14 奈米節點上磕了好幾代，寧可用 14nm++ 這樣的方式命名，也不會輕易更改製程數位。 估計英特爾是在產品宣傳上吃虧吃怕了，換了個思路對抗三星和台積電，這裡也有必要提一提晶元製程里的數字遊戲。

晶片製程的數字遊戲

按照摩爾定律的說法，積體電路上可容納晶體管的數量大約每隔 18 個月便會增加一倍。 換而言之，伴隨著製程工藝的進步，晶元每單位能容納的晶體管數量會越來越多，使晶元性能越強的同時功耗也越低。 隨著製程工藝的不斷推進，越往下推越艱難，所需要的時間也越來越久，為了產品宣傳和市場拓展，晶元製造商所標註的晶元製程名稱可能只是一個數位，並不完全代表真實的晶元製造工藝水準。

時任高通公司首席技術官 Matt Grob 表示：”蘋果A10 處理器所用的 16 奈米工藝，是台積電量產的最尖端工藝（當時），僅相當於英特爾的 20 奈米工藝”。 英特爾也曾經就表示過，自己的 14 奈米可以對標台積電的 10 奈米製程。 在 20 奈米製程工藝之後，晶片製造商開始對製程工藝數位進行不同程度的”美化”，更先進的製程數位不一定代表更高的性能，同一製程數位的不同晶片，在內在指標上也可以差異明顯。

為了更好的對比不同廠商間的晶元製程工藝，我們可以拋開表面的晶元命名方式，用晶元晶體管密度數據來一探究竟。

從 TechCenturio 整理的行業數據能夠看出，同樣是在 14 奈米製程節點，英特爾的晶體管密度為 43.5，而三星為 32.5，英特爾和三星都宣稱自己是 14 奈米工藝，但在晶體管密度上二者差異明顯。

在 10 奈米上，英特爾的晶體管密度達到 100.8（即每平方毫米 1.008 億晶體管），遠遠超越台積電和三星的晶體管密度。 台積電在推出 7 奈米製程時（晶體管密度 96.5）才接近英特爾 10 奈米的晶體管密度，之後台積電在 7 奈米改進版（7nm+）工藝上引入 EUV 光刻機，憑藉 115.8 的晶體管密度實現對英特爾 10 奈米的最終反超。

“美化”過後的製程工藝數字，我們很難僅憑表面的製程工藝數位來判定它們的真實水準，若將它們放回自己的產品發展體系中進行縱向對比，如台積電 16 奈米、10 奈米和 7 奈米工藝，的確又能看到製程反覆運算的進步，只不過拿其它廠商的製程工藝進行橫向比較時，才能發現其中的端倪。

晶元製造商們之所以一個接一個的玩”數字遊戲”，主要是希望在製程工藝命名上跟上友商，在產品宣發和銷售時不至於陷入被動的局面，讓採購晶元的廠商更好的宣傳，讓消費者體驗到晶元製程換新的感覺。

廠商們的這一招不可謂不高，對於換新速度越來越快的智慧手機來說，如何讓消費者感受到這是一款新產品顯得十分重要。 英特爾未來還要給高通代工晶元，現在先期佈局製程工藝命名方式，培育消費者的認知理念，既有利於後期為代工高通，也有利於自己的產品宣發。

結語

高端晶元製造是當前准入門檻最高的行業之一，目前能夠達到 10 奈米技術水準的廠商並不多，僅有英特爾、台積電和三星，許多原來的晶片製造商，有的卡在某個技術節點上無法突破而選擇放棄，有的專注於自己的領域沒有繼續突破，而有的因為一些不穩定因素沒辦法獲取關鍵資源或配件，還在積極尋找突破的方法。

回到問題的核心，我們真的都喜歡「美化」的晶元製程數位嗎？ 作為普通消費者，我們的確希望看到更多新東西，但當我們拿到具體的產品時，可能伴隨著希望的破滅，應用上新製程工藝后的晶元，最終沒有發揮出我們所期待的水準，這些就是”美化”過後的現實。 對於整個晶元製造行業而言，過度的晶元命名遊戲，不利於廠商間的良性競爭，最終受害的是晶元製造商、晶元採購商和廣大消費者。

此次英特爾採用的新製程節點命名方式，或許是不得已而為之的做法，既然原有的晶元製程命名方式影響到自己的發展，行業內的主要玩家又都採取了類似策略，自己只能在保持一定限度的情況下加入他們。