SK 海力士在 2021 年 2 季度財報中證實，該公司將與未來幾個月內開始量產 DDR5 記憶體顆粒。 除了英特爾與 AMD 的多個下一代消費級平臺引入對 DDR5 記憶體的支援，伺服器平臺也將迎來 DRAM 存儲密度的進一步提升。

（來自：SK Hynix）

在 SK 海力士量產 DDR5 記憶體顆粒的同時，其合作夥伴也將於未來幾個月內陸續發佈首批 DDR5 記憶體模組。

值得一提的是，該公司將開始用極紫外光刻（EUV）技術來量產 1a nm 的 DRAM 記憶體顆粒，並專注於打造 64GB 以上的大容量伺服器記憶體模組。

與 DDR4 記憶體相比，DDR5 將頻寬輕鬆提升了一倍以上。 回想從 DDR3 到 DDR4 的 2013 年，初期的記憶體頻寬僅增加了 33%（1600 MHz 到 2133 MHz）。

隨著 DDR5 量產時代的開啟，SK 海力士希望將每個 DIMM 的頻寬增加 50% 以上（目前普遍可達到 4800 MT/s）。 在提升性能和容量的同時，還兼顧了能效與成本效益。

展望未來，其它記憶體製造商還致力於將 DDR5 記憶體模組的頻率推升至 10000 MHz 以上。 預計 2021 年內，我們就可看到 32 / 64 / 128GB 的單條容量，且速度在 4800 到 5600 MT/s 之間。

此前，美光的 DDR5 DRAM 顆粒已被英睿達、海盜船、金士頓、影馳、十銓、朗科、金邦、ZADAK、XPG、阿斯加特等記憶體模組製造商所採用。 十銓曾表示，在液氮冷卻的情況下，DDR5 記憶體電壓還可提升至 2.6V 。

先前洩露的基準測試表明，DDR5 記憶體預計將帶來較 DDR4 翻倍的性能提升。 鑒於 DDR4 記憶體已經被人超頻到了 7GHz 以上，我們對於 DDR5 時代的 10GHz 戰績也充滿了期待。