前不久Intel宣佈即將舉行一次重要會議，今天凌晨這個會議正式召開，介紹了Intel在晶元工藝及封裝上的進展，其中一個重要內容就是全新的CPU工藝路線圖。 而且Intel真的改名了，10nm工藝變成了Intel 7，7nm變成了Intel 4，未來還有Intel 3、Intel 20A。

（來自：Intel官網）

Intel是堅定的摩爾定律捍衛者，儘管每代工藝的技術指標是最強的，但在進度上確實已經落後於台積電、三星，現在量產了10nm工藝，台積電已經是第二代5nm工藝了，明年還有3nm工藝。

工藝命名上始終落後對手，對Intel來說宣傳很不利，早前網友調侃說Intel應該把10nm改成7nm，畢竟他們的晶體管指標確實達到甚至超過了台積電7nm的水準，沒想到這個調侃成真，Intel這次真的改名了，但改的方式也有點獨特。

此前的10nm Enhanced SuperFin工藝改為Intel 7——對，沒有7nm字樣，官方就叫做Intel 7，你當7nm也行，但Intel沒明確說是7nm，這次就是改了，但又沒改。

相比Tiger Lkae上的10nm Superfin工藝，Intel 7工藝的每瓦性能提升10-15%（注意Intel介紹性能提升的方式也變了，說的是每瓦性能），首先應用於今年底的Alder Lake，數據中心處理器Sapphire Rapids則會在明年用上Intel 7工藝。

Intel原先的7nm工藝則會改名為Intel 4，這會是Intel首個應用EUV光刻工藝的FinFET工藝，每瓦性能提升20%，2022年下半年開始生產，2023年產品出貨，就是之前的7nm Meteor Lake處理器。

Intel 4工藝之後是Intel 3工藝，是最後一代FinFET工藝，每瓦性能提升18%，2023年下半年開始生產。

再往後Intel也會放棄FinFET晶體管技術，轉向GAA晶體管，新工藝名為Intel 20A，會升級到兩大突破性技術——PowerVia、RibbonFET，前者是Intel獨創的供電技術，後者是GAA晶體管的Intel技術實現，預計2024年問世。

2025年及之後的工藝還在開發中，命名為Intel 18A，會繼續改進RibbonFET工藝，同時會用上ASML下一代的高NA EUV光刻機，量產時間不定。