2019年9月份，合肥長鑫量產了國內首款DDR4記憶體晶元，這兩年來已經在多個國產記憶體品牌中商用，性能、價格都不錯。 根據資料，合肥長鑫積體電路製造基地專案總投資超過2200億元，選址位於合肥空港經濟示範區，佔地面積約15.2平方公里，由長鑫12吋記憶體晶圓製造基地（以下簡稱”基地”）、空港積體電路配套產業園、空港國際小鎮三個片區組成。

其中，長鑫12吋記憶體晶圓製造基地專案是中國大陸第一個投入量產的DRAM設計製造一體化專案，也是安徽省單體投資最大的工業專案，總投資約1500億元;空港積體電路配套產業園，位於基地以西，總投資超過200億元;

合肥空港國際小鎮位於基地以北，規劃土地面積9.2平方公里，規劃總建築面積420萬平方米，總投資約500億元。

截至2020年底，合肥長鑫12吋記憶體晶圓製造基地專案提前達到4萬片/月產能，今年3月份開始啟動6萬片/月產能建設，實現了從投產到量產再到批量銷售的關鍵跨越。

記憶體技術上，長鑫量產的第一代DDR4/LPDDR4晶元是19nm工藝，此前一直沒有公佈具體細節，日前兆易創新在一次會議上透露長鑫的19nm工藝良率已達75%。

75%的良率在業內不算頂尖水準，不過考慮到長鑫生產記憶體不到2年時間，現在的良率表現已經不錯了，製造出來還是能保證毛利的。

此外，長鑫的第二代記憶體升級到了17nm工藝，具體良率沒公佈，但目前會比較低，還在爬升中。