SK海力士剛剛公佈了下一代高帶寬內存（HBM3）的技術規格，可知其在提升傳輸速率和增大容量的同時，還引入了散熱方面的最新改進。具體說來是，該公司的HBM3產品將提供高達665 Gbps的帶寬、翻倍的容量、以及下一代散熱解決方案。在官方產品頁上，SK海力士還分享了一張對比圖表，以直觀地展示從HBM2E到HBM3的變化。

AMD Radeon Instinct MI100 計算卡就集成了32GB HBM2 顯存

這家DRAM 製造商表示，HBM3 有望實現5.2 Gbps 的I/O 速率，較現有的HBM2E 提升44%，從而大幅提升整體的內存帶寬。

憑藉更快的HBM 解決方案，SK 海力士致力於引領高帶寬顯存市場。而該公司正在開發的HBM3，還能夠以5.2 Gbps 的I/O 速率，達成超過665 GB/s 的帶寬。

HMB2E的帶寬僅能達到460 Gbps（來自：SK Hynix官網）

與現有的DRAM 相比，新一代產品將迎來44% 的性能提升。與此同時，SK 海力士將進一步完善在HBM2E 上首次引入的相關創新，比如為HBM3 上配備增強版的散熱解決方案。

具體說來是，它能夠在溫度減少14 ℃ 的情況下，為HBM2E 帶來36% 的散熱效果改善。所以在HBM3 上，我們期待著它能夠帶來更大的驚喜。

英偉達GA100 Ampere 計算卡

容量方面，我們預計初代HBM3 會與HBM2E 持平。後者基於16Gb DRAM 芯片，由8-hi 堆棧達成總計16GB 容量。不過隨著JEDEC 敲定最終規範，我們預期HBM3 的存儲密度會進一步增加。

如果進展順利，我們或於明年晚些時候，見到搭載HBM3高帶寬顯存的下一代CNDA架構的AMD Instinct加速卡、英偉達的Hopper GPU、以及英特爾Xe-HPC架構的高性能計算加速器等產品。