在今天的台北電腦展（Computex 2021）主題演講期間，AMD CEO蘇姿豐博士詳細介紹了近期多次爆料過的所謂“Zen 3+”CPU架構。雖然沒有明確提及“Zen 3+”的名稱，但她還是透露AMD與台積電合作開發了全新的3D芯片堆疊技術——在結構矽襯底的基礎上，運用了TSV矽通孔技術。

TechPowerUp指出，AMD在“Zen 3”CCD模組的64MB L3緩存頂上設置了64MB的SRAM高速緩存，並將之稱作3D Vertical Cache三維垂直緩存。

雖然不知道具體緩存的層次結構有怎樣的改變，但這樣新穎的理念還是讓我們對其性能表現充滿了好奇。比如64MB 附加緩存是否與片上L3 緩存相鄰，或者作為L3 / L4 級緩存的一部分。

官方聲稱3D垂直緩存技術可將平均遊戲性能提升15%，憑藉類似於代際升級的性能改良，AMD有望在Zen 4到來之前，與英特爾Rocket Lake-S競品“爭鋒相對”。

預計首批採用3D 垂直緩存技術的AMD 處理器將於2021 年底開始到貨，意味著它很可能就是傳說中的銳龍6000 系列台式處理器。而基於5nm Zen 4 架構的銳龍7000 系列，則定於2022 年與大家見面。

至於AMD 新CPU 的終端發布計劃，目前暫不得而知。此外在Computex 2021 的主題演講體驗，AMD CEO 更多地還是展示了Socket AM4 接口的產品。

最後，如果基於AM5（LGA 1718）新接口的處理器能夠在今年晚些時候到來，那Zen 3+ / 3D 垂直緩存技術還是有望通過IO 小芯片的更新，帶來對AM5 接口/ DDR5 內存的支持的。