三星首次公佈內存新工藝細節:第四代10nm級工藝實為14nm
與CPU等邏輯芯片直接使用準確的工藝不同,內存芯片在20nm之後就變得模糊了,廠商稱之為10nm級工藝,實際上會用1X、1Y、1Znm來替代。1X、1Y、1Znm到底是什麼工藝?三星、SK海力士及美光三大內存巨頭之前一直不肯明確,按照業界的分析,大體來說1Xnm工藝相當於16-19nm級別、1Ynm相當於14-16nm,1Znm工藝相當於12-14nm級別。
在1X、1Y、1Znm之後,還會有1αnm、1βnm、1γnm三種工藝,三星今年下半年量產1αnm工藝的內存。
值得一提的是,在最新的公告中,三星也首次明確了1αnm的具體水平,那就是14nm工藝,這還是三家廠商中首個改變內存工藝定義的。
至於三星為什麼要打破常規,很有可能跟1αnm內存工藝進度落後有關,今年1月份美光就宣布量產1αnm工藝內存芯片了,三星晚了幾個月,現在透明化具體工藝,也有將美光一軍的意味,因為三星早前就懷疑美光的1αnm工藝並不是真正的1αnm,就看美光是否接招了。