EPFL的科學家們已經開發出了超低損耗的氮化矽集成電路（IC）。這種集成電路對光子設備至關重要，如芯片級頻率梳、窄線寬激光器、相干激光雷達和神經形態計算，以及其他用途。這種類型的集成電路可以將信息編碼成光，通過光纖傳輸，並被描述為光通信的一個核心組成部分。

由EPFL團隊創造的集成電路的損耗為1dB/m，是非線性集成光子材料的紀錄值。研究人員說，這種類型的超低損耗對於允許使用片上波導合成、處理和檢測光信號的集成光子學來說至關重要。這種低損耗將減少用於構建若干應用中的芯片級光頻梳的功率預算。

新技術可以以創紀錄的低光損耗和小尺寸構建氮化矽集成光子電路，用來在一個5×5平方毫米的芯片上使用高質量因子的微諧振器開發一米長的波導。研究人員還報告說，他們的技術支持很高的製造產能，據說對工業生產至關重要。

光頻錐的應用包括相干光收發器、低噪聲微波合成器、LiDAR、神經形態固定計算和光學原子鐘。該項目研究人員指出，他們期待看到他們的芯片設備被用於新興的應用，包括相干激光雷達、光子神經網絡和量子計算。這類芯片通常由矽製成，但新技術的突破是基於氮化矽，目前還不清楚這些新的集成電路何時可能被集成到商業化的產品中。