頻率競速10000MHz 朗科將研發超高頻DDR5電競內存
Intel在CES 2021展會對第12代酷睿Alder Lake做了官方預熱,除了引入全新內核微架構和大小核設計外,最為重要的是支持下一代DDR5內存。目前各大主板廠也已開始設計下一代Intel 600系列主板,經歷過DDR4產品的200~400系列主板,廠商已深知對內存投入研發可以間接提升主板品牌高度,因此全新的DDR5內存也將成為主板廠商研發競速的因素。
人類對速度的追求是永無止境的,在電競電腦領域裡,影響電腦遊戲性能指標的配件有CPU/內存/顯卡,而直接影響遊戲性能的除了架構設計之外最為重要的參數便是產品的工作頻率。CPU配件裡Intel與AMD品牌產品,在近10年CPU的主頻發展緩慢,始終停留在4500~5300MHz左右;顯卡配件裡NVIDIA和AMD的產品GPU頻率發展則更為緩慢,目前最高GPU核心頻率為2581MHz(RX 6700 XT);內存則發展較為迅速,它經歷了DDR3到DDR4轉變,工作頻率一路逼近並超越CPU主頻,目前DDR4內存最高的工作頻率為5600MHz。
雖然JEDEC制定了不同種類內存的規範,但在電競市場中各內存品牌廠商都會進行研發推出更高性能的內存產品,如DDR3內存JEDEC規範中內存頻率最高為1600MHz,但在DDR3後期有2800~ 3200MHz頻率的內存產品;DDR4內存JEDEC規範主流從2133~3200MHz,但當下DDR4高性能內存已發展到4800~5600MHz;DDR5作為下一代高性能內存規格,JEDEC規範了DDR5內存工作頻率範圍為3200~8400MHz ,相比DDR4提高了1.6倍以上的工作頻率,朗科內存產品總監表示,在結合內存性能的過往發展/研發路程以及對玩家速度的追求,將投入研發可達10000MHz以上的DDR5內存產品。
作為本土存儲品牌朗科早在2018年便進入內存行業,並在近期推出新款電競/國產化內存產品,目前朗科DDR5內存也已進入研發階段,首批DDR5 DRAM內存顆粒已抵達研發總部。
首批到的是Micron DDR5 ES顆粒,IC編號為Z9ZSB,根據Micron官網查詢為ES樣品,顆粒容量為2Gx8,工作時序為40-40-40。
基於1znm工藝製造,尺寸為11x9mm,以下為顆粒高清圖賞。