芝奇發布專為英特爾Rocket Lake而打造的DDR4-5333內存套裝
AnandTech報導稱:知名PC配件製造商G.Skill,剛剛為英特爾11代Rocket Lake台式處理器推出了一系列高頻內存模組。為了壓榨新平台的更多性能,其專為Rocket Lake的新內存控制器(分頻特性)而設計,AMD銳龍DIY平台的玩家也一定不會對這點感到陌生(1:1時可達成最佳效能)。
芝奇表示,在英特爾官方推薦的Z590高端芯片組主板的加持下,該系列高頻內存模組可達成DDR4-5333的頻率。
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該系列內存從CL19 的DDR4-4266 起步,可選2×16GB 和2×32GB 雙通道版本,電壓分別為1.45V / 1.50V 。
其次是CL17 / CL18 的DDR4-4400 套裝,可選2×8GB 和2×16GB 雙通道版本。至於CL20 的DDR4-4600 套裝,其僅有2×32GB 雙通道版本,電壓均為1.50V 。
在往上是CL17 / CL19 / CL20 的DDR4-4800 套裝,可選2×8GB 和2×16GB 雙通道版本,電壓分別為1.60V / 1.50V / 1.55V 。
衝擊DDR4-5000 以上的有CL20 / CL22 的DDR4-5066 / DDR4-5333 套裝,可選16GB / 32GB 雙通道版本,但電壓也都達到了1.60V 。
官方表示上述產品線已在華碩ROG Strix Z590-E Gaming WiFi和ROG Maximus XIII Apex主板、以及微星MEG Z590I Unify主板平台上進行了驗證(搭配i9-11900K處理器)。
內存顆粒方面,目前只能確認DDR4-4800 CL17 16GB套裝(2×8GB雙通道版本)使用了三星B-die,但尚不清楚是否全係都為三星B-die顆粒。
截止發稿時,芝奇尚未公佈該系列高頻內存模組的售價,但預計它們會在2021 年2 季度到來。此外考慮到全年內存的上漲預期,早期消費者的入手成本顯然也不會太便宜。