近日北京賽微電子股份有限公司發布了關於與青州市人民政府簽署《合作協議》的公告。公告中顯示賽微電子擬在青州經濟開發區發起投資10億元分期建設聚能國際6-8英寸矽基氮化鎵功率器件半導體製造項目，總佔地面積30畝，一期建成投產後將形成6-8英寸GaN芯片晶圓5000片/月的生產能力，

二期建成投產後將形成6-8英寸GaN芯片晶圓12000片/月的生產能力，將為全球GaN產品客戶的旺盛需求提供成熟的技術支持和產能保障。

據了解，GaN（氮化鎵）屬於第三代半導體材料，第三代半導體材料主要包括碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石等，因其禁帶寬度（Eg）大於或等於2.3電子伏特（eV），又被成為寬禁帶半導體材料，與第一、二代相比，第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子速率等優點，可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。

公司已於2018年7月在青島市嶗山區投資設立“青島聚能創芯微電子有限公司”，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵（GaN）功率與微波器件的設計、開發；已於2018年6月在青島市即墨區投資設立“聚能晶源（青島）半導體材料有限公司”，主要從事半導體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設計、開發、生產，該公司投資建設的第三代半導體材料製造項目（一期）已於2019年9月達到投產條件，正式投產。作為公司GaN業務一級平台公司，聚能創芯匯聚了業界領先團隊，擁有第三代半導體材料生長、工藝製造、器件設計等全產業鏈技術能力及儲備，且截至目前在6-8英寸矽基GaN外延晶圓、GaN功率器件及應用方面已形成系列產品並實現批量銷售。