早在2019年，代工廠就已經開始了有限度地將極紫外（EUV）光刻光刻技術應用於大批量的芯片製造（HVM）。然而影響EUV工藝普及的主要因素之一，就是光掩模（Pellicles）材料的缺乏，結果限制了EUV工藝的產能擴張。好消息是，近日有消息稱，這種情況終於得到了改善，且有望在未來幾年迎來進一步的發展。

資料圖（來自：TSMC）

近年來，阿斯麥（ASML）的Twinscan NXE EUV 光刻機已經取得了長足進步，改善了光源性能、可用​​時間、以及生產力。

遺憾的是，EUV掩膜部分仍面臨量產前的巨大挑戰。且除了台積電，三星半導體也被迫尋找在供應缺乏下的EUV替代製造工藝。

芯片製造中使用的掩膜材料（通常為6×6 英寸），能夠將可能落於基材表面上的顆粒隔離開，從而對芯片生產線上的晶圓提供額外的保護。

由於每套EUV 標線片就需動用30 萬美元的成本，因此降低與收益率相關的風險也尤為重要。

ASML的EUV Pellicle（圖自：Semiconductor Engineering）

早在2019 年，ASML 就已經突出了首款EVU 掩膜，並將技術授權給了三井化學。後者計劃於2021 年2 季度開始量產銷售，且ASML 方面也未停止持續改進。

不過Semiconductor Engineering 指出，迄今為止，只有ASML 推出了在商業上切實可行的EUV 掩膜（基於50nm 厚度的多晶矽）。

早在2016 年，該公司就展示了在模擬的175W 光源上實現的78% 透射率，且當前已在出售效率高達88% 的新一代掩膜。相信不久後，三井化學就會大量供應此類掩膜。

最後，AnandTech提到ASML已經展示了透射率高達90.6%的原型。其不均勻性控制在了0.2%以內，且能夠在400W光源下將反射率控制在0.005%以下。