三星電子週四宣布了新一代存儲芯片計劃，其內存速度將在現有技術的基礎上提高一倍，並提供迄今為止最大的容量，從而開啟了一場將加速數據中心和超級計算發展的轉型。作為全球最大存儲芯片製造商，三星表示，已開發了512GB雙倍數據速率5（DDR5）內存模塊，基於傳統上用於邏輯芯片的HKMG製造工藝。

DDR5的內存速度將是目前DDR4的兩倍，同時減少洩漏，並減少13%的功耗。三星表示，預計將在今年下半年開始向DDR5的過渡。

芯片行業一直期待英特爾即將推出代號為Sapphire Rapids的Xeon可擴展處理器將採用新的內存標準，並對其提供支持。

三星表示，除了與兩家主要的CPU供應商英特爾及和AMD合作，三星還向數據中心平台的開發者發送了新內存樣品。

分析師估計，DDR5芯片將比DDR4芯片大20%左右，這將加大半導體供應鏈的壓力。

三星打算今年開始出貨，並逐步改進其製造工藝（擴大極端紫外線光刻技術的使用）和定價。該公司表示，DDR5取代DDR4預計將在2023年下半年發生。