目前量產的最先進工藝是台積電、三星的5nm，明年有望量產3nm工藝，再往後的2nm工藝需要全新的技術，製造難度更高，是大國爭搶的製高點之一。在先進工藝上，目前台積電、三星及Intel等幾家實力強大，日本公司主要是在光刻膠、矽片等材料有較大優勢，但日本也沒有放棄先進工藝上的努力。

據日本媒體報導，日本產業技術綜合研究所與中國台灣半導體研究中心（TSRI）等展開合作，開發了用於新一代半導體的新型晶體管結構。

相比其他技術，該技術將矽（Si）和鍺（Ge）等不同溝道材料從上下方堆疊、使“n型”和“p型”場效應晶體管靠近的名為“CFET”的結構。

報導稱，與此前的晶體管相比，CFET結構的晶體管性能高、面積小，有助於製造2nm以下線寬的新一代半導體。

據悉，這一研究成果發表於2020年12月在線上舉行的半導體相關國際會議“IEDM2020”。該項新技術有望在今後約3年裡對民營企業進行轉讓，正式開始商用。