早些時候，英特爾首席架構師Raja Koduri分享了“七合一”設計的Xe HPC GPU的封裝照片，而後外媒迅速對這款基於7nm製程的雙Tile GPU產品的規格進行了分析。最新消息是，WCCFTech援引消息人士的爆料，給出了帶有正確註釋的芯片圖表，包括位於基板中間的計算單元、兩側的HBM2高帶寬顯存、以及邊緣位置的Xe Link IO 。

（圖via WCCFTech）

此前大家對於Raja Koduri披露的所謂“七項技術”的理解，包括了雙Tile版本的Xe HPC GPU所使用的Foveros技術、英特爾的10nm ESF工藝、以及台積電的7nm製程。

現在，通過與至少兩個消息來源進行交叉確認，WCCFTech 終於知曉了該公司首款7nm Xe HPC GPU 芯片封裝的正確註釋。

首先是位於圖片左上角和右下角的兩顆Xe Link IO 芯片，其基於台積電的7nm 工藝製造。有趣的是，基板兩側似乎還整合了兩種不同大小的HBM2 高帶寬顯存。

其次是位於長方形基板中間的英特爾7nm 計算核心，每Tile 中的8 個計算核心通過Passive Die Stiffeners 進行整合、以及與HBM2 高帶寬顯存連接。

顯然，為了打造這款7nm 產品，英特爾還應用了嵌入式多芯片互連橋接（EMIB）和Foveros 3D 封裝等技術，比如由台積電代工的7nm IO 連接芯片和Rambo Cache 緩存。

以下是對Raja Koduri 分享的“七項技術”的完整解釋：

● 英特爾7nm 工藝；

● 台積電7nm 工藝；

● Foveros 3D 封裝；

● EMIB 嵌入式多芯片互連橋接；

● 增強型Super Fin 工藝；

● Rambo Cache 緩存；

● HBM2 高帶寬顯存。