得益於從平面型晶體管到鰭式場效應管（FinFET）的過渡，過去10年的芯片性能提升還算勉強。然而隨著製程工藝不斷抵近物理極限，芯片行業早已不再高聲談論摩爾定律。儘管業界對環繞柵極晶體管（GAAFET）在3nm及更先進製程上的應用前景很是看好，但這種轉變的代價也必然十分高昂。

資料圖（來自：Intel）

外媒指出，儘管當前芯片代工大廠已經在7nm 或5nm 工藝工藝節點上提供了相當大的產能，但包括台積電（TSMC）和格羅方德（GlobalFoundries）在內的諸多企業，仍在努力攻克基於下一代環繞柵極晶體管（GAA）技術的3nm 和2nm 工藝節點。

據悉，GAA-FET 的優點在於更好的可擴展性、更快的開關時間、更優的驅動電流、以及更低的洩露。不過對於製造商們來說，FinFET 仍是大有可圖的首選技術。

比如在去年的研討會上，台積電就宣稱其N3 技術可在提升50% 性能的同時、降低30% 的功耗，且密度是N5 工藝的1.7 倍。

早前消息稱，該公司計劃在2024 年之前做好2nm 製程的量產準備。不過借助久經考驗的、更可預測的工藝節點，台積電也有充足時間去檢驗GAA-FET 在2nm 節點下的應用前景。

GAAFET 橫截面（圖自：IBM）

與此同時，Semiconductor Engineering稱三星和英特爾也在努力實現從3nm到2nm工藝節點的過渡，且三星有望在2022年底前完成。

TechSpot 指出，GAA-FET 有諸多類型，目前已知的是，三星將採用基於納米片的多橋溝道場效應晶體管（簡稱MBC-FET）的方案。

MBC-FET 可視作FinFET 的側面翻轉，特點是將柵極包括於襯底上生長的納米矽片，而英特爾也披露了將於2025 年採用基於“納米絲帶”（nanoribbons）的類似方案。

當然，在接替鮑勃·斯旺（Bob Swan）的新任CEO 帕特·基辛格（Pat Gelsinger）的帶領下，英特爾或許能夠加速向新工藝的轉進。

最後，在讓FinFET 和GAA-FET 攜手並進的同時，芯片製造商或許還會動用鍺（Ge）、銻化鎵（GaSb）、砷化銦（AsIn）等具有高遷移率特性的半導體材料，來送“摩爾定律”最後一程。