存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲的應用效能。

據了解，176層3D NAND閃存是美光第二代替換閘(Replacement Gate)架構，是目前全球技術最為先進的NAND節點，相較於前代3D NAND相比，美光176層3D NAND閃存在讀取及寫入延遲方面提升35%。

美光176層閃存其實是基於兩個88層疊加而成，第一批為TLC顆粒，單個Die的容量為512Gb(64GB)，當然後期很​​可能會加入QLC。

據悉，美光176層3D NAND閃存可提供更好的服務質量，可加速數據密集環境和工作負載，例如數據庫、人工智能引擎以及大數據分析等。

得益於新的閃存架構和堆疊技術，美光將176層閃存的厚度控制在45微米，基本上與早期的64層浮動柵極3D NAND相當，所以，即使在一顆芯片內封裝16個Die，做到1TB的單顆容量，厚度也不會超過1.5毫米，可以輕鬆放入智能手機、存儲卡。