閃存峰會召開之際，美光也發布了該公司的第五代3D NAND閃存，可知其創下了176層的堆疊紀錄。作為與英特爾分手後開發的第二代產品，美光已將存儲單元設計從浮柵改成了電荷陷阱方案。之所以在上一代的3D NAND中採用了128層的過渡節點，也是該公司希望藉此搞定技術切換可能遇到的任何問題。

據悉，美光的128層3D NAND在市面上的佔有率極地。因此在很大程度上，最新一代的176層3D NAND將直接取代96層的版本。

目前已知的是，美光首批176 層3D NAND 採用了將雙88 層融合到一起的設計（堆疊512Gbit TLC 閃存）。至於更多細節，還請耐心等到本月下旬。

換用電荷陷阱存儲單元的方案，似乎也極大地降低了每一層的厚度。目前的176 層裸片僅為45 μm，與美光的64 層浮柵3D NAND 相同。

16 管芯堆疊式封裝的厚度不到1.5 mm，適用於大多數移動/ 存儲卡使用場景。此外與上一代美光3D NAND 一樣，芯片外圍的大部分邏輯組件，也是通過陣列下COMS（簡稱CuA）工藝製造的。

結合兩方面的優勢，美光預估其176層512Gbit裸片的厚度，將較三星等競爭對手再精簡30%左右。性能方面，其支持1600 MT/s的接口，高於96 / 128層3D NAND的1200 MT/s 。

讀寫延遲方面，分別較96 / 128 層NAND 改善了35% / 25% 以上。總體混合工作負載方面，176 層3D NAND 也較96 層UFS 3.1 模組領先15% 左右。

最後，美光現已開始176層3D NAND的量產，首批顆粒已在英睿達（Crucial）品牌的消費級SSD產品中得到使用。

儘管美光尚未披露有哪些型號已在使用（大部分還是128 層），但我們有望在明年迎來更多3D NAND 存儲芯片替換。