洛桑聯邦理工學院（EPFL）的工程團隊近日開發出了一種新型計算機芯片，可在相同電路中處理和存儲數據。團隊使用了名為二硫化鉬（MoS2）的二維材料，能夠讓電子產品更小、更節能。

在傳統計算機中，通常會在一個區域（CPU）處理數據，然後在將數據傳遞到另一個區域（例如硬盤和固態硬盤）進行存儲。這種模式已經為我們服務了數十年，但這並不一定是最有效的處理方式。

例如在人類大腦（世界上最強大的計算機）中，神經元就具備處理和存儲信息的能力。工程師試圖模倣此功能，創建具有內存中邏輯架構的芯片，有時也稱為“憶阻器”。這個想法是，無需大量傳送數據，我們可以製造更小更快的設備，消耗更少的能量。

而EPFL 的這項研究朝著這個目標邁出了新的一步。該團隊的新型內存中邏輯芯片是第一種使用2D材料製成的芯片，該材料包括一層只有3個原子厚的MoS2。這種材料的超薄厚度不僅非常適合縮小器件的尺寸，而且還可以製成出色的半導體。

新型芯片稱之為浮柵場效應晶體管（FGFET），通常在閃存系統中使用，這些晶體管擅長長時間保持電荷。MoS2對這些存儲的電荷特別敏感，從而使其能夠執行邏輯和存儲功能。

該研究的主要作者安德拉斯·基斯（Andras Kis）說：“我們的電路設計具有許多優勢。它可以減少與在內存單元和處理器之間傳輸數據相關的能量損失，減少計算操作所需的時間，並減少所需的空間。這為更小，更強大和更節能的設備打開了大門”。