中興7nm芯片商用之際,中芯國際7nm製程“取得突破”
在中興通訊宣布5G基站7nm芯片實現商用的同一天,中芯國際第二代FinFET工藝也湊巧曝出新進展。10月11日,珠海市委機關報《珠海特區報》發布報導,IP和定制芯片企業芯動科技已完成全球首個基於中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試,所有IP全自主國產,功能一次測試通過。
原標題:中興7nm芯片商用之際,中芯國際7nm製程“取得突破”
受此消息刺激,陰跌已久的中芯國際,今天A股和港股均大幅上漲,帶動A股半導體概念紛紛飄紅。
截至發稿,中芯國際A股和港股漲幅均一度接近14%,半導體設備供應商中微公司、北方華創、安集科技等漲幅也超過5%。
中芯國際港股(左)和A股股價信息
關於N+1工藝,中芯國際聯合CEO梁孟松去年曾透露,該工藝在功率和穩定性方面7nm工藝非常相似,且不需要EUV光刻機,但在性能方面提升還不夠,所以N+1工藝是面向低功耗應用領域的。
所謂成功流片,中科院半導體所相關人士向觀察者網介紹,就是在實驗室得到性能達到指標的器件的意思。而要實現真正量產,器件的可靠性、退化機制等一些特性還需大量的數據支持和反複檢驗。
《珠海特區報》報導截圖
“國產版7nm芯片製造取得突破”
在一篇題為《“國產芯”突圍刻不容緩》的報導中,《珠海特區報》寫道:“芯動科技首個基於中芯國際先進工藝的芯片流片和測試成功,不僅意味著具有自主知識產權的’國產芯’再次打破國外壟斷,同時也說明’國產版’的7nm芯片製造技術已經得到突破。”
《珠海特區報》報導截圖
事實上,流片是芯片量產前的一個必要步驟。為了測試集成電路設計是否成功,需要對芯片進行試生產,以檢驗電路是否具備所需的性能和功能。如果流片成功,就可以大規模地量產芯片;反之,就需要找出其中的原因,並進行相應的優化設計。
中科院半導體所相關人士告訴觀察者網:“在技術交付之前,會經歷一個用戶試用的階段,分不同的情況,也許流片之後幾個月或者幾年才能真正實現量產。”
中芯國際官網截圖
就在1個月前(9月18日),中芯國際在“上證e互動”回答投資者提問時披露:“FinFET N+1已進入客戶導入階段,可望於2020年底小批量試產。 ”
雖然中芯國際從未證實,但外界一直猜測“N+1”就是該公司的7nm工藝。
今年2月,中芯國際聯合CEO梁孟鬆在財報會議上首次披露,在功率和穩定性方面,N+1和7nm工藝非常相似,唯一區別在於性能方面,N+1工藝提升較小。
談到具體數據,他透露,中芯國際N+1工藝和14nm相比,性能提升20%,功耗降低57%,而7nm市場基準性能提升應該是35%,所以該公司的N+1工藝是面向低功耗應用領域的。
在此之前,中芯國際曾向荷蘭阿斯麥(ASML)訂購一台EUV光刻機,用於下一代工藝製造,價值高達1.5億美元,原計劃在2019年初交付。但在美國政府阻擾之下,這項交易至今仍未完成。
對於外界“沒有EUV光刻機就無法實現下一代工藝開發”的質疑,梁孟松提到,在當下的計劃中,N+1和N+2工藝都不會使用EUV設備,等到設備就緒以後,N +2才會轉而使用EUV設備。
福布斯中文網也在今年3月的報導中指出,中芯國際的7nm工藝發展跟台積電路線差不多,7nm節點一共發展三種工藝,分別是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工藝的N7+。
需要注意的是,目前世界上可以量產7nm芯片的晶圓代工廠商僅台積電和三星兩家,IDM廠商英特爾10nm產品剛上市不久,7nm芯片可能推遲至2023年。這意味著,中芯有望在製程上赶超英特爾。
今年二季度全球晶圓代工市場份額:台積電51.5%,三星18.8%;GlobalFoundries(格芯)7.4%,聯電7.3%,中芯國際4.8%。數據來源:TrendForce
與長電科技陷合同糾紛
在官網發布的新聞中,芯動科技提到,自2019年始,該公司在中芯N+1工藝尚待成熟的情況下,投入數千萬元設計優化,率先完成NTO流片。基於N+1製程的首款芯片經過數月多輪測試迭代,助力中芯國際突破N+1工藝良率瓶頸。
觀察者網梳理髮現,芯動科技官網還有多條與中芯國際相關的新聞。例如,榮膺中芯連續四年(2013年-2016年)最佳合作夥伴、基於中芯國際14nm工藝的多款高速接口IP研發及量產成功等。
官網截圖
啟信寶信息顯示,芯動科技全稱為“武漢芯動科技有限公司”,成立於2006年7月,註冊資本1000萬元;控股股東為敖繼康,持股94.8%。
最初,芯動科技業務是做光通信芯片,後來轉型做比特幣挖礦機芯片,曾推出多款礦機芯片,一度與比特大陸、嘉楠科技、億邦國際等礦機廠商展開競爭。在比特幣礦機市場遇冷之後,該公司才開始轉向其他IP和定制芯片開發。
啟信寶信息截圖
官網介紹:“芯動科技是中國芯片IP和芯片定制的一站式領軍企業,提供全球主流代工廠(台積電/三星/格芯/中芯國際/聯華電子/英特爾/上海華力/武漢新芯等),從180nm到5nm工藝全套高速混合電路IP核和ASIC定制解決方案,尤其22nm以下FinFET工藝全覆蓋,是迄今為止國內唯一具備兩家代工廠(台積電、三星)5nm工藝庫和設計流片能力的技術提供商。”
“所有IP和產品全自主可控,支持了華為海思、中興通訊、瑞芯微、君正、AMD、Microsoft、Amazon、Microchip、Cypress、Micron、Synaptics、Google、OnSemi等國內外知名企業數十億顆芯片量產,連續10年中國市場份額遙遙領先。”芯動科技在自我介紹時稱。
官網截圖
值得注意的是,在與眾多芯片公司開展合作的同時,芯動科技也曾捲入不少商業糾紛。
今年4月,芯動科技因合同履行爭議,在無錫起訴封測廠商長電科技並發起索賠2500萬美元。
該公司稱,芯動與長電科技在2018年3月簽訂《委託芯片封裝設計及加工合同》,後者向其提供芯片封裝服務,由於封裝質量不合格,造成芯片不能正常工作,給其造成來料成本損失達1415.1萬美元,被長電科技暫扣的芯片及庫存晶圓損失達1286.4萬美元,損失共計2500萬美元。
公告截圖
長電科技在公告中披露,註冊於薩摩亞的芯動技術公司(芯動科技的海外公司)自2017年8月起委託長電科技控股子公司星科金朋為其比特幣礦機芯片提供芯片封裝服務,至2018年3月底,芯動應付星科金朋封裝測試服務費約800萬美元,至2018年6月,應付服務費增加至1325萬美元。
但隨後,芯動以星科金朋封裝測試的芯片質量不合格為由,拒絕支付全部服務費1325萬美元。
對此,長電科技及控股子公司星科金朋暫扣了芯動公司交由星科金朋封裝測試的芯片及庫存晶圓。
湊巧的是,在《珠海特區報》發布中芯國際N+1工藝流片成功消息的當天,中興通訊副總裁李暉透露,在5G無線基站、交換機等設備的主控芯片上,中興自研的7nm芯片已實現市場商用。
值得一提的是,2018年年中,招商證券在點評中興通訊時表示:“基站芯片自給率幾乎為零,是中興通訊在禁運事件中最為棘手的問題。”