當前，最先進的芯片已經採用了5nm工藝（蘋果A14），這在另一方面也意味著，晶圓代工廠商們需要更加馬不停蹄地推進製程技術的迭代。來自Digitimes的最新報導稱，台積電2nm GAA工藝研發進度提前，目前已經結束了路徑探索階段。

GAA即環繞柵極晶體管，旨在取代走到盡頭的FinFET（鰭式場效應晶體管）。FinFET由華人科學家胡正明團隊研製，首發於45nm，目前已經推進到5nm。

不過，據說台積電的3nm依然延續FinFET，但三星則會提前於3nm導入GAA技術。

基於全新的GAA晶體管結構，三星通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），與現在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45 %，功耗降低50%，性能提升35%。

當然，落後其實並不可怕，最主要看進度。三星7nm也是想“一口吃個胖子”，直接導入EUV極紫外光刻，結果起個大早趕個晚集，被台積電用7nm DUV搶先，自己實際並未攬獲多少有價值的訂單。