AnandTech報導稱，封裝技術將成為在未來半導體產品市場保持領先的主要戰場之一。以英特爾為例，這家芯片巨頭將致力於在同一封裝中整合多個元素，同時主打高帶寬和低功耗互聯的特性，以延續摩爾定律對芯片性能發展的預估。在今年的架構日活動上，該公司就詳細介紹了EMID、Foveros和ODI這三樣先進的封裝技術。

據悉，英特爾下一代FPGA產品將基於英特爾自家的7nm工藝製造，輔以當前一代的嵌入式多核心互聯橋接（EMIB）和Foveros 3D封裝技術。

EMIB 的本質，就是將少量矽管芯嵌入到PCB 基板中，允許兩部分以相當密集的方式連接，以實現高速、低功耗的點對點互聯

這項技術已經在Kaby Lake-G、Stratix 10 GX 10M FPGA 上得到應用，以及即將推出的Intel Xe 圖形產品組合（如Ponte Vecchio 和Xe-HP）。

值得一提的是，英特爾還分享了EMIB 的免版稅版本（被稱作AIB）。其具有迭代升級的途徑，可在更廣泛的行業中得到應用。

Foveros 則是英特爾的3D 管芯堆疊技術，主打高帶寬和低功耗的點對點矽互聯特性。目前其正在英特爾的Lakefield 移動處理器中使用，並將推廣至Ponte Vecchio、以及FPGA 等未來產品。

在7nm 工藝的加持下，芯片巨頭將把堆疊技術應用到高帶寬緩存（HBM IO）和DDR 的裸片連接上。至於更多細節，仍有待後續去揭曉。

AnandTech 認為，英特爾的目標是為多種尺寸規格的7nm FPGA 提供通用的基礎裸片，然後根據客戶產品的實際需求（產品或成本）來調整，比如將不同的變體堆疊至其頂部。

從技術層面上來看，英特爾將把同時應用了EMIB 和Foveros 技術的任何產品都稱作Co-EMIB 。而7nm FPGA 可使用的新元素之一，就是英特爾正在對其進行調整和驗證的224G PAM4 收發器模塊。

目前尚不清楚這些新款7nm FPGA 將於何時發布，但根據該公司在PPT 上展示的一份路線圖，當前的10nm Agilex FPGA 仍將是2021 / 2022 年的產品主打。換言之，我們可期待在2023 年或之後見到採用新設計的產品。

最後來說說ODI 全方位互聯（Omni-Directional Interconnect）：當在芯片製造使用Foveros 工藝時，出於散熱方面的考慮，通常必須將大功率的計算芯片放到3D 堆疊的頂部。

但是這麼一來，也導致其供電必須穿過重重基片才能抵達，且意味著頂部的芯片面積通常比下層芯片要小。好消息是，ODI 使得頂部芯片的電路能夠“垂掛”於邊緣並直達頂部，從而化解了這一尷尬。

在充足能源的保障下，ODI 還有助於增加信號完整性、帶來更高帶寬的數據連接，即便製造的佈局和復雜性也會有所提升。當然，該公司或首先在小芯片封裝上進行試驗，然後推廣至Lakefield 之類的產品線，而不是在FPGA 中使用。