在過去一年，華為海思”扛著壓力摸著黑”成為了華為各個業務線的“支撐”，在機構的最新報告中，這家芯片公司以49%的增長率進入全球半導體廠商排行榜的前十名。從全球調研機構IC Insights公佈的全球前十大半導體廠排名來看，前五名分別為英特爾、三星、台積電、海力士、美光，第六至十名依序為博通、高通、德州儀器、英偉達、海思。

從營收增速來看，海思成長幅度最快，上半年營收達到52億美元。而在去年同期，海思的排名為十六位。

面對外部持續升級的打壓，海思的內部調整速度也在加快。日前有消息稱，華為已正式啟動“塔山計劃”全方位紮根半導體，並且已經開始與相關企業合作，準備建設一條完全沒有美國技術的45nm的芯片生產線，預計年內建成，同時還在探索合作建立28nm的自主技術芯片生產線。

對此，華為方面並未作出回應。但有華為內部人士對第一財經記者表示，正在探索自建或以合作形式投入的晶圓代工生產線，以保證華為各個產品線長久地運轉。

“向下紮根”半導體

在去年的5月，主管華為芯片業務的負責人何庭波在一封內部信中表示：“華為曾經打造的備胎，一夜之間全部轉正！多年心血，在一夜之間兌現為公司對於客戶持續服務的承諾。是的，這些努力，已經連成一片，挽狂瀾於既倒，確保了公司大部分產品的戰略安全以及連續供應。”

在遭受到外部衝擊時，海思成為了華為各個產品線所倚靠的關鍵所在。

海思全名是海思半導體有限公司，正式成立於2004年10月，負責華為自己的芯片設計。其中外界熟知的華為手機芯片麒麟系列就是出自海思，除了手機芯片，海思的產品還有服務器芯片（鯤鵬系列）、基站芯片、基帶芯片、AI芯片等等。海思公司總部位於深圳，在北京、上海、美國矽谷和瑞典設有設計分部。

值得注意的是，在前述公佈的排名中，今年第一季度，海思取代英飛凌，排名從去年同期第十六名、攀升至第十名，成首家進入半導體前十強的大陸半導體公司。不過，IC Insights方面認為，由於受制於美國禁令的影響，海思進入前十的時間可能是短暫的。

華為消費者業務CEO余承東在8月7日舉行的中國信息化百人會上表示，Mate 40 麒麟9000芯片，很可能成為麒麟高端芯片的最後一代。他呼籲半導體產業鏈上的伙伴應該全方位紮根。

在上述會議現場展示的一張PPT中顯示，在“根技術”上，華為建議產業關注EDA以及IP領域、關鍵算法和設計能力。還有包括12寸晶圓、光掩膜、EUV光源、沉浸式系統、透鏡等在內的生產設備和材料領域。而在設計與製造環節，關注IC設計能力以及IC製造和IC封測能力。其中IDM涵蓋了射頻、功率、模擬、存儲、傳感器等期間設計與製造工藝整合。

華為內部人士表示，目前華為也在摸索自建或者合作IDM工廠的可能性。

有消息稱，華為已在內部正式啟動“塔山計劃”，準備建設一條完全沒有美國技術的45nm的芯片生產線，包括上海微電子、瀋陽芯源（芯源微）、盛美、北方華創、中微、瀋陽拓荊、瀋陽中科、成都南科、華海清科、北京中科信、上海凱世通（萬業企業）、中科飛測、上海睿勵、上海精測（精測電子） 、科益虹源、中科晶源、清溢光電等數十家企業進入華為計劃合作名單。

尋找芯片關鍵領域投資標的

除了芯片製造環節的動作外，從去年起，華為也開始了一系列對芯片材料領域的投資。

據第一財經記者統計，一年內，華為在半導體領域的投資數量已經超過十家，其中就有對第三代半導體材料企業的投資。

2019年8月，華為旗下的哈勃科技投資有限公司投資了山東天嶽先進材料科技有限公司，持股10%。據悉，山東天嶽是我國第三代半導體材料碳化矽龍頭企業。

華創證券認為，“得碳化矽者得天下”。碳化矽是製造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料，綜合性能較矽材料可提升上千倍，被譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產業的“新發動機”。碳化矽材料實現量產後，將打破國外壟斷，推動國內5G芯片技術和生產能力的提升。

此前，不少國際公司都在碳化矽領域進行投資。例如，英飛凌1.39億美元收購了初創企業Siltectra，進一步進軍碳化矽市場，另外，X-Fab、三菱、意法半導體等企業也宣布將開發更多的碳化矽功率器件。

原中芯國際創始人兼CEO、上海新昇總經理，現芯恩(青島)創始人兼董事長張汝京在一場線上會議中表示，美國對於中國的製約能力沒有那麼強，相信能夠追得上。

“第三代半導體，IDM現在是主流，Foundry也有機會，但對於設計公司來說需要找到一個可以長期合作的Foundry。”張汝京表示，第三代半導體材料的應用會以碳化矽為重點，這是一個非常好的材料，但它生產的三個階段都可能遇到瓶頸。一是碳化矽的單晶，二是生產外延片，三是生產各種功率的半導體，但材料製造的環節中國的技術相對比較弱。

同時，張汝京提到，短期的人才差距是一個弱點。

《中國集成電路產業人才白皮書（2017-2018）》指出，到2020年前後，我國集成電路行​​業人才需求規模約72萬人，而我國現有人才存量40萬人，人才缺口將達32萬人。

“智能半導體從第二代半導體進入到第三代半導體的時代，不管是彎道超車還是半道超車，我們希望在一個新的時代實現領先。天下沒有做不成的事情，只有不夠大的決心和不夠大的投入。”余承東說。