三星作為全球閃存芯片的龍頭企業，近日宣布計劃擴大其NAND 閃存芯片的生產。三星計劃投資韓國平澤市工業園區的2號生產線以擴大產能，應對因新冠疫情而擴大的生產電腦與服務器對芯片的需求。

據SamMobile消息，新工廠在前月已開始動工，三星表示閃存芯片的需求量會因5G、人工智能以及萬物互聯的發展而迅速增長，而新工廠V-NAND 芯片的量產將會在2021 年下半年開始。分析師表示，三星會為新工廠投資7-8 萬億韓元（約合人民幣407-465 億），建成後，這條生產線會滿足NAND 閃存芯片的中期和長期需求。三星的平澤工業園區，已經是世界其中兩條最龐大的閃存及內存芯片生產線所在地。不過，隨著需求量的不斷擴大，三星仍然會對其進一步投資。

在過去18年，三星一直是存儲芯片領域的領導者，他們最近還官宣了最新的存儲芯片技術——業內首次多達160層的V-NAND 閃存設計。它在擁有更高存儲容量的同時，芯片密度更高。

三星電子存儲全球營銷副總裁Cheol Choi 表示：“這次投資，再次證明了我們在存儲技術領域所擁有的無可爭辯的領導地位。即使在不確定的時刻，我們依然會繼續為市場提供最佳的內存及閃存解決方案，同時為整個IT 行業和經濟增長做出貢獻。”

至於後者，三星計劃將其位於韓國京畿道華城的DRAM 生產線的其中一條轉產至生產感光元件，由於DRAM 生產線與感光元件的生產流程有80% 左右接近，因此用於生產DRAM 的材料以及相關設備均可用於生產感光元件。

本次轉產在新設備安裝測試後，最快將在今年開始量產，而三星需要為轉產花費1 萬億韓元（約合人民幣58 億）的成本。