日前IEEE電子電器工程師協會宣布，FinFET晶體管發明人胡正明（Chenming Hu）獲得了2020年的IEEE 榮譽獎章，這是IEEE協會的最高獎勵，這一技術使得摩爾定律延壽了數十年。自從1965年，Intel聯合創始人戈登·摩爾提出“摩爾定律”以來，半導體工藝一直按照這個規律發展，2年提升一倍的晶體管密度。

不過摩爾定律原本應該終結了，因為按照之類的發展，傳統矽基半導體工藝製造難度越來越大，特別是在28nm工藝之後。

胡正明教授在這個問題上貢獻很大，他於1999年發明了FinFET晶體管，也叫鰭式晶體管或者3D晶體管，就是因為晶體管的形狀與魚鰭的相似性。

FinFET晶體管的設計可以改善電路控制並減少漏電流，縮短晶體管的閘長，FinFET閘長已可小於25nm，未來預期可以進一步縮小至9nm，約是人類頭髮寬度的1萬分之1。

Intel在2012年正式量產了3D晶體管技術，首發的是22nm工藝，當時台積電、三星還停留在28nm工藝上，之後在16/14nm節點上他們才進入了FinFET晶體管時代。

從這一點上來說，胡正明教授發明的FinFET技術不僅拯救了摩爾定律，Intel、AMD、NVIDIA、蘋果、華為、高通、三星等半導體行業的公司都受益於胡正明教授的發明。