DigiTimes援引“知情人士”的話稱，存儲器製造大廠美光科技（Micron）正在擴大對中國台灣地區工廠的投資，以提升1z納米DDR4 DRAM的產能。作為該公司的最新工藝，其在存儲密度、能效、速率等方面均有較大的提升。據悉，1z納米的標準製程節點在12 ~ 14 nm之間，而1y納米的製程節點在14 ~ 16nm之間。

資料圖（來自：Micron 官網）

報導稱美光在台中工廠的1z納米產能正在爬坡，且當前專注於製造面向台式機和筆記本電腦的16Gb DDR4 DRAM 。

同時該公司計劃在桃園工廠推動1y 納米製程的量產，以及在日本廣島工廠努力生產面向移動平台的低功耗內存產品。

未來1 ~ 2 年，美光還將在1z 納米製程節點上打造大部分早期的DDR5 內存產品。

在DDR5 的需求變得旺盛之前，該公司仍有足夠的時間來打磨成熟的1z 納米DDR4 產線。