三星率先為DRAM芯片導入EUV 用於明年量產DDR5/LPDDR5
當前在芯片製造中最先進的EUV(極紫外光刻)工藝被三星率先用到了DRAM內存顆粒的生產中。這家韓國巨頭今日宣布,已經出貨100萬第一代10nm EUV級(D1x)DDR4 DRAM模組,並完成全球客戶評估。這為今後高端PC、手機、企業級服務器等應用領域開啟新大門。
資料圖(來自:Samsung)
得益於EUV技術,可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重複步驟,並進一步提升產能。
三星表示,將從第四代10nm級(D1a)DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導入EUV,明年基於D1a大規模量產DDR5和LPDDR5內存芯片,預計會使12英寸晶圓的生產率翻番。
不過,目前支持DDR5的PC平台尚未亮相,LPDDR5倒是已經逐漸鋪開。三星量產的第一代EUV DDR5 DRAM單芯片容量為16Gb(2GB),地點是平澤市的V2線。
根據三星此前的預判,EUV將幫助公司至少推進到3nm尺度。