去年，中芯國際表示將在四季度開啟基於14nm FinFET製程的量產芯片。同時，該公司也在努力開發下一代主要節點（N+1），宣稱具有可媲美7nm工藝的部分特性。與中芯國際自家的14nm製程相比，N+1可在性能提升20%的同時降低57%的功耗、並將邏輯面積減少了63% 。

資料圖（來自：SMIC）

但實際上，中芯國際表示N+1 並不等同於7nm 技術。儘管新工藝可讓SoC 變得更小、更節能，但N+1 帶來的性能提升，仍無法與7nm 競品做到旗鼓相當。

有鑑於此，中芯國際將N+1 定位於更具成本吸引力的芯片製造技術。該公司發言人稱：“N+1 的目標是低成本應用，與7nm 相比，其優勢在10% 左右”。

此外，中芯國際的N+1 工藝並未使用極紫外光刻（EUVL），因此該晶圓廠無需從ASML 購買其它昂貴的設備。

這並不說明該公司沒有考慮過EUV，其確有獲得EUV 步進掃描系統，但有報導稱因美方施壓而尚未安裝，導致中芯國際只得等到N+2 工藝時採用上EUV 。

如果一切順利，中芯國際有望在2020 年4 季度開始N+1 製程的風險試產，並於2021 或2022 年轉入大批量生產。