三星量產業內最快UFS 3.1手機閃存:寫速1.2GB/s 三倍於UFS 3.0
今日,三星電子宣布已開始量產512GB封裝容量的eUFS 3.1閃存,可用於手機、平板等。相較上一代eUFS 3.0(512GB)閃存產品,新款的寫速提升了200%,達到了驚人的1200MB/s,比用於PC的傳統SATA3 SSD(540MB/s)和UHS-I microSD存儲卡( 90MB/s),可謂巨大的升級,可消除8K、5G時代下的存儲瓶頸。
![](https://i0.wp.com/static.cnbetacdn.com/article/2020/0317/701bbd0bd109632.jpg?w=640&ssl=1)
資料圖(來自:Samsung)
其它性能參數還包括,連續讀取速度可達2100MB/s,隨機讀取速度就100K IOPS,隨機寫入速度70K IOPS。當然,這批新的eUFS 3.1閃存還有128GB和256GB容量。
![](https://i0.wp.com/static.cnbetacdn.com/article/2020/0317/d546e61f41c555f.png?w=640&ssl=1)
另外,三星還透露,其位於中國西安市的X2線則已於本月開始生產第五代V-NAND(9x層),韓國平澤市的P1線將很快轉向第六代V-NAND閃存(1xx層)芯片的量產,以滿足日益增長的市場需求。