格羅方德與Everspin宣布：兩家公司已將聯合開發的自旋轉矩（STT-MRAM）器件的製造，擴展至12 nm FinFET平台（簡稱12LP）。通過這項合作，格羅方德能夠利用已被廣泛採用的12nm工藝來生產單獨的MRAM芯片、或將之嵌入其它通過12LP技術製造的產品。

據悉，兩家公司的合作歷史相當悠久，最早可追溯到40nm 的量產工藝，然後擴展到28nm HKMG 和22nm FD-SOI（22FDX）。

如今，格羅方德已能夠製造嵌入式的非容失性磁性隨機存儲器（eMRAM）。而Everspin 單獨的256 Mb 和1 Gb MRAM 器件，亦可通過40 nm 和28 nm 工藝量產製造。

通過將STT-MRAM 縮小至12 nm 製程，有助於雙方進一步拉低1 Gb 芯片成本。以經濟高效的方式，生產更高容量的設備。

儘管現有的MRAM 芯片無法提供巨大的容量，但其在特定領域的應用仍相當受歡迎。Everspin 表示，該公司已向超過1000 個客戶出貨1.25 億個單獨的MRAM 芯片。

此外，引用該公司的一份報告：到2029 年，單獨的MRAM 器件銷售額將達到40 億美元。隨著對大容量MRAM 產品需求的不斷擴展，未來還需要用到更先進的工藝。

格羅方德在其12LP 平台（包括12LP+）中增加了對eMRAM 的支持，可極大地提升該製程節點的競爭地位，尤其是未來幾年發布的主控/ 微控制器應用領域。

比如，群聯（Phison）和華瀾微電子（Sage）即將推出的一些企業級SSD主控，就會採用Everspin的eMRAM方案，而不是單獨使用該器件。

eMARM 有望取代當前普遍採用的嵌入式閃存（eFlash），以克服NAND 存在的耐久度和性能等問題。

作為一種磁性存儲元器件，MRAM 能夠感測由薄壁隔開的兩個鐵磁膜的各向異性。由於不使用電荷或電流，其能夠在現代製程節點的幫助下，實現更優秀的性能和耐久度。

儘管eMRAM 仍有其局限性，但在其它技術出現之前，這種兼顧靜態（SRAM）和動態（DRAM）隨機存儲器特性的高度集成產品，仍然能夠在未來幾年內被各個廠商欣然應用於諸多設備。