Rambus整合HBM2E控制器與物理層:1024位總線3.2Gbps速率
渴望內存帶寬的ASIC開發者們,一定對Rambus的最新研發進展感到欣喜不已。為了支持第二代增強型高帶寬緩存(HBM2E),該公司還需要設計一個合適的控制器和物理接口。為了提升效益,Rambus採用了一種高度集成的HBM2E許可解決方案。
據悉,HBM2E 標準支持12-Hi DRAM 堆棧、以及16Gbps 的存儲器配置,最高可達24GB @ 1024 位總線。同時新規範支持3.2Gbps 數據傳輸速率,讓每個堆棧的帶寬達到409.6 GB/s 。
至於Rambus 的HBM2E 解決方案,其包括了一個能夠與以質量好的12-Hi KGSD 堆棧管芯配合使用的控制器、經過驗證的1024 位物理層(PHY)、且支持高達3.2 Gbps 的速率。
最初由Northwest Logic 開發的Rambus HBM2E 控制器內核與DFI 3.1 兼容(通過適當的擴展),支持AXI、OCP 或連接至集成邏輯部件的專有接口。
該控制器還支持Look-Ahead 命令處理(減少延遲的一種標準方法),以及高達24 Gb 的通道密度。
有需要的客戶,能夠借助Rambus 的HBM2E 解決方案達成一站式集成,包括控制器的源代碼(針對特定工藝技術進行的合成)和完全特徵化的硬宏接口(GDSII)。
最後,Ramus 工程師也可提供按需付費的HMB2E IP 集成支持服務。