多年來，存儲器製造商一直試圖在單個封裝中集成動態隨機存儲器（RAM）和閃存（NAND）的共同優勢，但一直收效甚微。新型非易失性存儲器，有望成為技術突破的一個關鍵。其具有類似於RAM的運行速度、以及NAND的斷電非易失特性。能夠瞬時打開、並從上次中斷的位置恢復，為即時（Instand-On）PC的到來而鋪平道路。

資料圖（來自：Intel，via TechSpot）

經常關注存儲技術的朋友，可能或多或少地聽說過幾種可讓RAM和SSD運行更快、更密集、更節能的新技術。

另有一些研究試圖推動“內存中計算”的方法，從根本上消除了數據在處理器、內存等部件之間往返所導致的性能滯後。

上述想法都基於如下事實，即將數據寫入DRAM，是一種快速且節能的方案。可一旦斷電，數據的完整性也難以維持。此外系統必須不斷刷新數據，導致效率不是很高。

另一方面，NAND 是一種相對健壯的數據存儲方式，只是寫入和擦除的速度太慢，導致存儲單元性能下降，難以取代現有的DRAM 。

好消息是，英國蘭開斯特大學的研究人員稱，他們已經打造了一種新型的非易失性存儲器—— 速度可與DRAM 媲美，寫入能耗卻僅為百分之一。

這項技術被稱作UK III-V 存儲器，其基於20nm 光刻工藝製造，寫入時間僅為5ns（與DRAM 相當），且提供了類似閃存的簡單讀取特性。

更棒的是，這是一種非易失性存儲，能夠在斷電時保持數據的完整性。

（UK III-V 原型晶體管）

截至目前，原型裝置已能夠通過2.1V 的電壓來擦除和編程數據。相比之下，典型NAND 單元需要施加3V 的擦除電壓。

通過使用交替的GaSb（銻化鎵）和InAs（砷化銦）層，研究團隊打造出了所謂的“雙阱共振隧道結”，並達成了這一目標。

新型存儲單元的工作方式與閃存類似，使用“浮柵”來存儲“0”或“1”，但此處InAs 浮柵被不連續的GaSb 和AlSb 大導帶所隔離。

簡單來說，UK III-V 存儲器中使用的晶體管，具有更好的開關狀態。它們被設計為利用兩種材料來確保將信息存儲特別長的一段時間。

儘管沒有披露讀取操作所需的功耗等細節，但首席研究員Manus Hayne 表示：在重複讀取“1”的時候，新型存儲器無需重建或不斷刷新來確保數據的完整性。

當然，最讓我們感興趣的，莫過於即使在斷電的情況下，UK III-V 內存亦可保留數據、並在通電後瞬時返回上上次工作中斷的位置。

Manus Hayne 稱，團隊正在為新技術申請專利，未來有望攪動1000 億美元的DRAM 和閃存市場。