長江存儲科技有限責任公司副董事長楊道虹表示，國家存儲器基地項目經過3年的建設已經取得了階段性成效，自主開發的64層三維閃存產品實現量產。據介紹，楊道虹表示，當前以及今後一段時間他們目前的任務是如期達成月產能10萬片，在二期項目中將會達到30萬片／月產能。

根據之前的介紹，長江存儲科技有限責任公司早在2018年就公開發布其突破性技術——Xtacking，該技術將大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps。

根據官方的說明，採用Xtacking技術，可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利於選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工後，創新的Xtacking 技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

現在，長江存儲已成功將Xtacking 技術應用於其第二代3D NAND產品的開發，大規模量產之後，預計會有更多的儲存產品用上國產芯片。

楊道虹還透露稱，不僅64層三維閃存產品實現量產，更高層的三維閃存產品研發也取得階段性成果，進一步縮短了與國際龍頭企業的差距。

據悉，長江存儲科技有限責任公司於2016年7月26日在武漢東湖新技術開發區登記成立，公司經營範圍包括半導體集成電路科技領域內的技術開發；集成電路及相關產品的設計等。