半導體器件被廣泛應用於從智能手機到汽車等各個領域，在其製造過程中半導體光刻機必不可少。你知道嗎，日本首台半導體光刻機發售已經50週年了。今日，佳能中國宣布，佳能產日本首台半導體光刻機PPC-1發售50週年。佳能PPC-1於1970年發售，隨著數字技術的迅速發展，佳能的半導體光刻機也在不斷升級。

首台日本產半導體光刻機PPC-1

據悉，佳能光刻機的歷史始於對相機鏡頭技術的高度應用。靈活運用20世紀60年代中期在相機鏡頭開發中積累的技術，佳能研發出了用於光掩膜製造的高分辨率鏡頭。

此後，為了進一步擴大業務範圍，佳能開始了半導體光刻機的研發，並於1970年成功發售日本首台半導體光刻機PPC-1，正式進入半導體光刻機領域。

佳能於1975年發售的FPA-141F光刻機在世界上首次實現了1微米（00萬分之一米）以下的曝光，此項技術作為“重要科學技術歷史資料（未來技術遺產）”，於2010年被日本國立科學博物館產業技術歷史資料信息中心收錄。

目前佳能的光刻機陣容包括i線光刻機和KrF光刻機產品線。其中，i線光刻機是指使用i線（水銀燈波長365nm）光源的半導體光刻機。而KrF光刻機是指使用波長248nm，由氪（Kr）氣體和氟（F）氣體產生的激光的半導體光刻機。

佳能表示，今後將繼續擴充半導體光刻機的產品陣容和可選功能，以支持各種尺寸和材料的晶圓以及下一代封裝工藝。

此外，在尖端領域為滿足電路圖案進一步微細化的需求，佳能也在致力於推進納米壓印半導體製造設備※7的研發,並使之能應用於大規模生產。

何為半導體光刻機？

半導體光刻機在半導體器件的製造過程中，承擔“曝光”的作用。半導體器件是通過將精細電路圖案曝光在稱為晶圓的半導體基板上而製成的。半導體光刻機設備的作用是將在掩膜版上繪製的電路圖案通過投影透鏡縮小，再將圖案曝光在晶圓上。

晶圓在晶圓台上依次移動，電路圖案將在一個晶圓上重複曝光。因為電路是由從微米到納米級別的超精細圖案經過多層堆疊製成，所以半導體光刻機也需具備超高精密的技術，以滿足從微米到納米單位級別的性能。

以下為半導體器件製造工藝：

1、製作掩膜版（原版）

設計決定半導體芯片功能和性能的電路。電路圖案繪製在數十塊玻璃板上。

2、準備晶圓

準備半導體器件基礎的圓盤形晶圓。加熱後在表面形成氧化膜，然後塗上光阻（感光劑）。

3、在晶圓上繪製電路圖案

①光照在掩膜版上，將電路圖案曝光在晶圓上。光通過透鏡縮小，可以畫出更細的線。電路的線寬越細，一個半導體器件上可集成的半導體元件數量就越多，從而可以獲得高性能且多功能的半導體器件。（使用光刻機）

（曝光的原理圖）

光照到部分的光阻發生變化後。使用顯影液將曝光部分去除。

②光阻覆蓋部分以外的氧化膜通過與氣體反應去除。

③在去除不需要的光阻後，在裸露的晶圓上，通過注入離子使晶體管有效工作，由此來製造半導體元件。

④用絕緣膜覆蓋整個晶圓後，將表面弄平整確保沒有凹凸。隨後塗上光阻，準備下一層電路圖案的曝光。

重複①～④的工藝，在晶圓表面形成多個層，然後通過佈線連接。

4、從晶圓上切下半導體芯片

5、將芯片粘在框架上，接上電線檢查工程後半導體器件製作完成