在CES 2020大展上，韓國DRAM和NAND閃存巨頭SK海力士（SK Hynix）展示了最新的存儲創新技術。在他們的展台上，最吸引人的莫過於“4D NAND”技術，以及首批基於該技術的消費級產品。

4D NAND作為一個概念最初於2018年8月上線，自然它沒有涉及到第四維度。傳統的3D NAND芯片主要使用電荷捕獲型閃存堆棧，該堆棧在空間上位於外圍模塊旁邊，該外圍模塊負責將所有這些CTF堆棧佈線。在4D NAND中，外圍塊與CTF堆棧本身堆疊在一起，從而在2-D平面上節約了空間，以便用於增加密度。

在CES 2020展台上，外媒TechPowerUp發現了兩款使用128層4D NAND的客戶端細分硬盤–Platinum P31 M.2 NVMe和Gold P31 M.2 NVMe。從技術角度上來說，Platinum P31和Gold P31是相同的，只是容量（也包括耐用性）上存在差異。

兩者都採用PCI-Express 3.0 x4和NVMe 1.3驅動，完全使用自家硬件構造，當然主控、DRAM緩存和128層4D NAND閃存等均是由SK Hynix自己製造。

Platinum P31僅具有2 TB的容量和1,500 TBW的耐用性； Gold P31的容量為500 GB和1 TB，分別為375 TBW和750 TBW。兩個驅動器均提供高達3500 MB / s的順序讀取和高達3200 MB / s的順序寫入。

此外SK海力士還展示了最新一代的DDR5 RDIMM。RDIMM專為下一代企業平台（例如英特爾 “ Sapphire Rapids”）而設計，頻率為DDR5-4800 MHz，最高可以提供64 GB的密度。

Sk海力士還提供了最新的LPDDR4X和原型LPDDR5存儲解決方案，旨在為下一代5G智能手機和超便攜式計算機提供澎湃動力。展台還現場演示了使用LPDDR4X解決方案和UFS 3.0存儲的智能手機，利用手機的前置攝像頭並立即生成4個高質量的濾鏡效果（這需要巨大的處理能力和存儲帶寬）。

LPDDR4X已經將數據速率推向了4,667 MT / s DDR，而LPDDR5將會從5,500 MT/s起步，並且會比LPDDR4X提供更低的功耗。