據韓國媒體報導，三星電子事實上的領導人李在鎔（Lee Jae-yong）今日討論了三星利用全球首個3納米工藝製造芯片的戰略計劃。該報導稱，李在鎔今日參觀了三星電子位於京畿道華城（Hwaseong）的半導體研發中心。這也是李在鎔在2020年的首個官方行程，期間，他聽取三星電子3納米製程技術報告，並與半導體部門主管討論了新一代半導體戰略。

據三星電子稱，李在鎔討論了三星計劃採用正在研發中的最新3納米全柵極（GAA）工藝技術來製造尖端芯片的計劃。GAA被認為是當前FinFET技術的升級版，能確保芯片製造商進一步縮小芯片體積。

去年4月，三星電子完成了基於極端紫外線技術（EUV）的5納米FinFET工藝技術的研發。如今，該公司正在研究下一代納米工藝技術（即3納米GAA）。三星電子表示，與5納米製造工藝相比，3納米GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

對於李在鎔此次參觀半導體研發中心，三星發言人稱：“李在鎔今日訪問半導體研發中心，再次凸顯三星承諾成長為“非內存芯片”市場頂級製造商的決心。”當前，三星已是全球最大的內存芯片製造商。

去年，三星宣布了一項高達133萬億韓元（約合1118.5億美元）的投資計劃，目標是到2030年成為全球最大的“系統級芯片”（ SoC）製造商。