中芯國際發布了Q3季度財報，當季營收8.165億美元，同比增長4%，環比下滑3.2%，淨利潤8462.6萬美元，相比去年同期的759.1萬美元大漲了1014%。實際上中芯國際Q3季度的毛利是下滑，1.7億美元環比增長12.3%，同比下滑了2.7%。

淨利暴增主要是去年同期運營虧損582.8萬美元，今年Q3季度運營利潤4715萬美元，還有另外4153.7萬美元的其他收益，主要是出售了海外的阿韋扎諾晶圓廠，所以推高了盈利，歸屬於股東的淨利潤有1.15.億美元，淨利潤也有8462.8萬美元。

具體到工藝上來看，收入佔比分別是150/180nm (35.8％)、55/65nm (29.3％)、40/45nm (18.5％)、110/130nm (6.6％)、250/350nm (4.2％) 、28nm (4.3％)、90nm (1.3％)，佔大頭的依然是成熟的150/180nm、55/65nm工藝，量產最先進的28nm工藝佔比只有4.3%，不過相比上季度的2.8%已經開始增長。

在技​​術方面，中芯國際聯合首席執行官，趙海軍博士和梁孟松博士評論說：經過兩年的積累，我們不僅進一步縮短先進技術的差距，也同時全面拓展新的成熟工藝技術平台，有信心隨著5G終端應用發展的浪潮步入新的發展階段。

FinFET技術研發不斷向前推進：第一代FinFET已成功量產，四季度將貢獻有意義的營收；第二代FinFET研發穩步推進，客戶導入進展順利。

中芯國際所說的第一代FinFET工藝應該是14nm，這個季度會開始量產出貨，不過之前他們表示大規模出貨要到2021年。

第二代FinFET工藝應該是改進型的12nm工藝，該工藝相比14nm晶體管尺寸進一步縮微，功耗降低20%、性能提升10%，錯誤率降低20%，現在是客戶導入，年底會有一些流片。

按照中芯國際所說的進展，那麼國內今年底、最晚明年就會有12nm芯片進入生產，這個工藝水平跟Intel的14nm是一代的了，與國際最先進水平也就一兩代的差距了。