格羅方德（GlobalFoundries）與SiFive週二宣布，兩家公司將共同開發基於12LP / 12LP+ FinFET工藝的HBM2E存儲器。打包的這一IP，使得SoC設計人員能夠將HBM2E快速集成到需要大量帶寬的芯片設計中。具體說來是，兩家公司的HBM2E實施方案包括了格羅方德設計的2.5D封裝（中間層），以及SiFive開發的HBM2E接口層。

（via AnandTech）

除了HBM2E 技術，SiFive 還允許被授權放使用該公司的RISC-V 產品組合、以及格羅方德的12 / 12LP+ DesignShare IP 生態系統，使得SoC 開發人員能夠基於格羅方德先進的製造技術，來打造基於RISC-V 的設備。

兩家公司指出，12LP+ 製造工藝和HBM2E 的實施，將主要用於先進的人工智能訓練和推理應用，並希望供應商對TOPS 性能進行優化。

此外，對於格羅方德而言，其需要特殊的工藝、且可能由於成本或其它原因，而無法為應對台積電（TSMC）和三星（Samsung Foundry）的領先工藝做好準備。

至於SiFive 的合作，本身也有點棘手，畢竟RISC-V 本身不太可能用於深度學習加速器的核心邏輯。但至少，它是可用於控制其中數據流所需的嵌入式CPU 內核的可靠架構。

據悉，SiFive 的HBM2E接口、以及針對格羅方德12LP / 12LP + 技術的定制IP，正在紐約馬耳他的GF 8 號工廠開發中。兩家公司預計，其能夠在2020 上半年完成工作，屆時將開放IP 的授權工作。