台積電的5nm（N5）製造技術預計將在性能，功耗和麵積縮小方面帶來顯著優勢，台積電希望有大量客戶採用這種工藝。而且，台積電預測客戶對5nm工藝有強勁需求，因此加速安裝全新生產設備，台積電相信其5nm工藝部署速度將比7nm（N7）工藝更快。

為了提高產能，台積電最近將2019年資本支出從100億-110億美元增加至140億-150億美元。台積電特別投資為其尖端節點購買設備，例如，ASML生產的Twinscan NXE步進掃描系統，用於對選定層使用極紫外光刻（EUVL）工藝。目前，台積電的Fab 15正在使用N7+工藝製造SoC，而其Fab 18（第一階段設備安裝已於2019年3月完成）正在按計劃從2020年第2季度開始大批量生產N5工藝芯片。

未來幾個月將購買的新工具預計將在2020年安裝，屆時該公司將能夠利用其N7、N7+、N7P、N6、N5和N5P工藝技術快速提高芯片產量。該公司對其5nm工藝市場份額充滿信心。

N5及其使用EUVL前代產品之間主要區別在於，它將在多達14層上使用EUVL（在N7 +和N6的情況下為4層和5層）。因此，N5產品將增加最新設備的使用率，並在一定程度上證明EUV工具和生態系統是否已準備就緒。目前，台積電似乎對EUVL非常樂觀。它使用的光源提供超過250瓦的輸出功率，並達到了可用性的目標。