SK海力士公司今日宣布，其已成功開發出1Znm 16GB DDR4動態隨機存儲器（DRAM），創下了業內單芯最大密度的紀錄。與上一代1Y nm產品相比，其產能提升約27%，因其無需昂貴的極紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本競爭優勢。

資料圖（來自：SK hynix，via TechPowerUp）

此外，新型1Z nm DRAM 還支持高達DDR4-3200 的數據傳輸速率。與使用1Y nm 工藝打造、基於8Gb DRAM 製成的同容量模塊相比，其能耗更是降低了40% 。

值得一提的是，SK hynix 引入了上一代製造工藝中未引入的新材料，從而最大限度地提升了1Z nm 產品的電容。

作為DRAM 運行的關鍵要素，其決定了內存可存儲的電荷量，且新設計能夠提升操作的穩定性。

SK hynix DRAM開發與業務負責人Lee Jung-hoon 表示：

1Z nm DDR4 DRAM 具有業界最高的密度、速度和能效優勢，使之成為追求高性能、高密度DRAM 客戶適應不斷變化需求的最佳選擇。

SK hynix 將於明年開始量產並全面交付，以積極響應市場需求。

最後，SK hynix 計劃將1Znm 工藝擴展到各種應用，如下一代LPDDR5 移動DRAM、以及更快的HBM3 顯存上。