在連跌7個季度之後，NAND閃存市場將在今年底迎來轉機，Q3季度閃存價格下跌幅度已經大幅收窄，預計Q4季度會由跌轉漲，漲幅約為10%。價格變化的同時，上游的閃存廠商也開始有新的動作了，韓媒報導稱三星計劃將明年的存儲芯片開支增加到65億美元，額外增加的資金主要用於建設位於中國西安的閃存工廠二期工程。

在中國西安，三星 2014年投資70億美元建設了第一期閃存工廠，主要生產第一代V-NAND閃存芯片。2017年，三星與西安政府簽署了新的協議，將在2020年之前再次投資70億美元建設第二座閃存工廠。

不過2017年的時候閃存市場還是牛市，價格上漲了一年多了，在2018年、2019年閃存價格接連下滑之後，三星建設西安工廠的速度也慢下來了。現在加速建設新工廠，實際上也是因為閃存市場即將迎來拐點，2020年普遍被看好，三星大舉建設新工廠，有助於搶占更高的份額。