兆易創新融資43億研發國內內存19/17nm工藝追平三星美光
2019年國產內存實現了0的突破,合肥長鑫前不久宣布量產10nm級DDR4內存,核心容量8Gb。除此之外,另外一家存儲芯片公司兆易創新也宣布研發內存,10.1日該公司宣布融資43億元,主要用於研發1Xnm工藝的內存芯片。
根據兆易創新的公告,本次非公開發行A股股票的發行對象為不超過10名特定投資者,發行的股票數量不超過本次發行前公司股份總數的20%,即不超過64,224,315股(含本數)。
預案顯示,兆易創新本次發行募集資金總額(含發行費用)不超過人民幣432,402.36萬元(含本數),扣除發行費用後的募集資金淨額將用於DRAM芯片研發及產業化項目及補充流動資金。
募集的資金中有39.92億元都會投入到內存研發及產業化中,主要用於研發1Xnm(19、17nm)製程工藝下的內存芯片,設計、研發DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4等多種規格的內存。
早在2017年的時候,兆易創新宣布與合肥長鑫合作,雙方將投資180億元研發國產內存,其中兆易創新方面負責籌集36億元的資金。不過合肥長鑫量產內存時表示該項目是他們獨立運營的,否認與兆易創新有關。
目前情況來看,兆易創新融資43億元是準備自行研發DDR內存,而且製程工藝也是國際先進水平,17nm工藝目前與三星、美光工藝基本持平,不過後者已經開始量產,兆易創新依然是研發階段。