近日，華為旗下的哈勃科技投資公司投資了山東天嶽先進材料有限公司，並持股10%。今年4 月，華為斥資7 億元成立了一家投資公司，即哈勃科技投資有限公司，由華為投資控股有限公司100% 控股；該公司經營範圍主要是創業投資業務，董事長以及總經理均為白熠，而且，他還是華為全球金融風險控制中心總裁。

上圖來自山東天嶽官網，圖片左側為該公司不同尺寸的碳化矽材料產品

本次接受投資的山東天嶽是我國第三代半導體材料碳化矽企業，成立於2011 年12 月；目前，山東天嶽投資建成了第三代半導體產業化基地，具備研發和生產優質半導體襯底材料的軟硬件條件。

今年2 月，山東天嶽的碳化矽功率半導體芯片及電動汽車模組研發與產業化項目；據了解，該項目是濟南2019 年市級重點項目之一，總投資6.5 億元，總佔用廠房面積為2400 平方米，碳化矽功率芯片生產線和碳化矽電動汽車驅動模塊生產線各一條。

所謂碳化矽（SiC）是碳（C）元素和矽（Si）元素形成的化合物，也是第三代半導體材料代表之一。跟傳統半導體材料矽相比，它具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率等明顯的優勢，可以廣泛應用於大功率高頻電子器件、半導體發光二極管（LED），以及諸如5G 通訊、物流網等微波通訊領域，並被列入《國家中長期科學和技術發展規劃綱要》。

同時，它也是目前綜合性能最好（綜合性能較矽材料可提升上千倍）、商品化程度最高、技術最成熟的第三代半導體材料。

現在正值全球5G 網絡大規模建設之際，碳化矽在這方面扮演著不可或缺的角色——大數據傳輸、雲計算、AI 技術、物聯網，包括下一步的能源傳輸，對網絡傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，大功率芯片的市場需求非常大。而矽材料的負載量已到達極限，以矽作為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。

國內碳化矽材料實現量產後，將打破國外壟斷，推動國內5G 芯片技術和生產力的提升。