美光本週在新加坡舉辦了慶祝Fab 10工廠擴建順利完成的儀式。儘管新的潔淨室不會增加該公司每月的晶圓產能，但卻能讓美光技術使用更先進的3D NAND工藝技術，生產具有更高層數和比特位密度的產品。實際上，Fab 10 Expansion是由多個部分組合而成的，包括了此前的Fab 10N和Fab 10X設施。

資料圖（來自：Micron，via AnandTech）

官方指出，新3D NAND生產設施佔地16.5萬平米。至於潔淨室的空間、以及其它擴展功能部分，美光暫未透露。

目前該工廠正在設備安裝階段，預計可在2019 下半年（未來4-5 個月）投產96 層3D NAND 。至於具體的生產安排，將依實際需求而定。

在設備齊全之後，這裡也不會增加任何新的晶圓容量，而是容納更多3D NAND 層數製造所需的、更先進的工藝設備。

據悉，隨著3D NAND 層數的增加，每片晶圓都需要在化學氣相沉積（CVD）機器中耗費更多的時間，意味著蝕刻的工藝流程會被拖得更久。

此外，美光還會運用更多奢侈的生產技術。為了保持晶圓處理數量的一致性，閃存製造商必須在潔淨室中加裝額外的CVD 和蝕刻機，這對設施空間提出了額外的要求。

綜上所述，儘管Fab 10 Expansion 可能不會提升美光新加坡工廠的每月晶圓數量，但確實可在NAND 閃存生產方面實現一定的增長。

最後，除了新的製造工廠，美光還將擴大在新加坡的研發業務。其NAND 卓越中心著力進行技術研發和產品工程，以進一步提升Fab 10 工廠的產能和良率。