半導體合約製造商中芯國際（SMIC）本月宣布，其將於今年年底開始基於14nm FinFET製造工藝的商業化芯片生產。作為其首條FinFET生產線，這是一項吸引了無數人關注的發展。該公司預測，其14nm製程節點將出現相當快速的增長，並為其營收業績作出有意義的貢獻。

（題圖via AnandTech）

中芯國際稱，其14 納米FinFET 採用完全自主研發的製造技術。與依賴平面型晶體管的28nm 製造工藝相比，預計可顯著提升晶體管密度、提升性能、以及降低芯片的功耗。

該公司原計劃在2019 上半年開始生產14nm 芯片，但現在有些落後於既定的時間表。儘管如此，FinFET 工藝的突破，對這家公司仍然有著巨大的意義（躋身包括另五家代工廠在內的俱樂部）。

需要指出的是，目前中芯國際只有兩座較小的300mm HVM 晶圓廠（用於28~65 nm 製程節點產品的製造），當前營收佔比在40~49% 左右（今年1/2季度）。

今年早些時候，中芯國際完成了價值100 億美元的FinFET 工廠的建設，它將用上該公司最尖端的製造技術。

一旦晶圓廠做好了商業運營的準備，該公司將能夠使用其14nm 和12nm FinFET 工藝，大幅提升芯片的產能。

中芯國際的長期計劃，包括10nm 和7nm 製造工藝。預計後者需使用極紫外光刻設備，該公司去年以1.2 億美元從ASML 購買的EUV 步進掃描系統，也將於2019 年交付。