美光週四宣布，該公司一開始量產基於第三代10nm製程（又稱1z nm）製程的存儲芯片，首批到來的便是16Gb DDR4 / LPDDR4 DRAM器件。隨著時間的推移，該公司還將進一步擴大其產品組合。與第二代10nm工藝相比，新工藝使得美光能夠提升DRAM芯片密度，在增強性能的同時、降低產品的功耗。

資料圖（來自：Micron，via AnandTech）

值得一提的是，第三代10 nm 製程的16Gb DDR4 器件功耗，較同頻的兩個8Gb DDR4 DRAM 還要低40% 。

至於16 Gb LPDDR4X IC，美光稱其更是提升了10%的能效。由於第三代1Z nm工藝較第二代1Y nm的比特密度更高，該公司可產出性價比更高的存儲芯片。

鑑於美光未透露16 Gb DDR4 DRAM 的速度分檔，我們只能預計其符合JEDEC 的官方指定範圍內。

預計首批16 Gb DDR4 DRAM 產品將用於台式機、筆記本、工作站上的高容量（32GB 或更高）內存模組。

移動存儲器方面，美光16 Gb LPDDR4X 芯片的傳輸速率可達4266 MT/s 。

除了為高端智能機提供高達16 GB（8x16Gb）的LPDDR4X DRAM 封裝，美光還將提供基於UFS 的多芯片封裝（uMCP4），將NAND 用於存儲和DRAM 。

該公司針對主流手機的uMCP4系列產品，將包括3GB RAM + 64GB ROM至8GB RAM + 256GB ROM等產品。

最後，美光沒有透露其生產1Z nm 製程16 Gb DDR4 / LPDDR4X 芯片的工廠。不出意外的話，應該會在日本廣島工廠內生產。

與此同時，分析師猜測該公司會在台中附近的Micron Memory Taiwan（前Rexchip Semiconductor）晶圓廠啟用1Z nm 製程生產線。