據台灣媒體報導，三星展示了“環繞閘極”（GAA）製程技術，號稱3納米領先台積電一年。這到底是不是真的？台灣知產力專家社群創辦人曲建仲介紹，場效電晶體（FET）是最基本的電子元件，電子流入再流出，由一個閘極開關控制電子導通代表1或不導通代表0 ，科學家將它製作在矽晶圓上，是數字信號的最小單位，一個FET代表一個0或一個1，就是電腦裡的一個位數。

“製程節點”代表閘極的“平均長度”，會隨製程技術的進步而變小，當縮小到14納米以下遇到問題，因此發明了“鰭式場效電晶體（FinFET）”，但是5納米以下又遇到問題，才出現“環繞閘極場效電晶體”。

曲建仲指出，GAA的原理很簡單，就是增加閘極與電子通道的接觸面積，可以增加控制效果減少漏電流。除了三星，各家晶圓廠早就在發展GAA，只是結構稍有不同，因為測試效果沒有比FinFET好，良率又低，因此沒有拿這個專有名詞來“唬人”而已。

曲建仲強調，三星展出的“水平式”GAA和FinFET性能差異不大，這次三星講GAA只是用專有名詞來唬外行人，報導說三星想用GAA在3納米彎道超車台積電， “只能說不是想像力太豐富，就是三星的營銷比較厲害”。